Наверх
761-71-71 МТС/Velcom/Life

Каталог товаров

SSD Samsung 990 Evo Plus 1TB MZ-V9S1T0BW

397 р. 63 к.


В наличии

Позвонить
Краткое описание:
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7150/6300 МБайт/с, случайный доступ: 850000/1350000 IOps, совместимость с PS5
Доставка
Купить товар можно с доставкой в любой город Беларуси: Минск, Витебск, Могилев, Гомель, Брест, Гродно, Борисов, Солигорск, Молодечно, Орша, Новополоцк, Бобруйск, Мозырь, Барановичи, Пинск, Лида и др.

Гарантия 12 месяцев. Низкие цены. Доставка по Минску и Беларуси. Возможен самовывоз


Общая информация
Дата выхода на рынок 2024 г.
Описание

✅ Samsung 990 EVO Plus - это высокопроизводительный NVMe M.2 SSD с интерфейсом PCIe 4.0 x4/5.0 x2 NVMe 2.0, обеспечивающий молниеносную скорость передачи данных. Его последовательная скорость чтения достигает 7150 МБ/с, а записи - до 6300 МБ/с, что позволяет быстро обрабатывать большие файлы и ресурсоемкие приложения.

✅ SSD выполнен в форм-факторе M.2 (2280) с максимальными размерами 80.15 x 22.15 x 2.38 мм и весом до 9 граммов, что делает его совместимым с большинством современных настольных и портативных компьютеров. Использование фирменной памяти Samsung V-NAND TLC и собственного контроллера обеспечивает надежную и стабильную работу устройства.

✅ Для повышения производительности 990 EVO Plus поддерживает функции TRIM и S.M.A.R.T., а также оснащен алгоритмом автоматического сбора мусора (Garbage Collection). Поддержка шифрования AES 256-bit (Class 0), TCG/Opal и IEEE1667 обеспечивает высокий уровень безопасности данных.

✅ SSD отличается высокой надежностью с гарантией на 5 лет или до 600 TBW (террабайт записанных данных). Благодаря поддержке режима сна устройства и низкому энергопотреблению, 990 EVO Plus является отличным выбором для пользователей, которым важны как производительность, так и энергоэффективность.

Основные
Объём 1 ТБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 4.0 x4
Версия NVMe 2.0
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 600 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 7 150 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 6 300 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 850 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 1 350 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 4.3 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.6 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Толщина 2.38 мм
Охлаждение
Подсветка
Совместимость с PS5
Комплектация
Тип поставки RTL (Retail)
Похожие товары смотреть все

Отзывы ()

    Оставить комментарий

    Обратный звонок
    Сравнить (0)